RSK2000正弦波

詳細說明

　　在舊有NPT平面技術的基礎上開發了一種可以提高高開關頻率的升壓電路效率的器件FGL40N120AND，具有43uJ/A的EOFF，比較采用更先進技術器件的EOFF為80uJ/A，但要獲得這種性能卻非常困難。FGL40N120AND器件的缺點在于飽和壓降VCE(SAT)(3.0V相對于125ºC的2.1V)較高，不過它在高升壓開關頻率下開關損耗很低的優點已足以彌補這一切。該器件還集成了反并聯二極管。在正常升壓工作下，該二極管不會導通。然而，在啟動期間或瞬變情況下，升壓電路有可能被驅使進入工作模式，這時該反并聯二極管就會導通。由于IGBT本身沒有固有的體二極管，故需要這種共封裝的二極管來保證可靠的工作。對升壓二極管，需要Stealth™或碳硅二極管這樣的快速恢復二極管。碳硅二極管具有很低的正向電壓和損耗。不過目前它們的價格都很高昂。在選擇升壓二極管時，必須考慮到反向恢復電流(或碳硅二極管的結電容)對升壓開關的影響，因為這會導致額外的損耗。在這里，新推出的StealthII二極管FFP08S60S可以提供更高的性能。當VDD=390V、ID=8A、di/dt=200A/us，且外殼溫度為100ºC時，計算得出的開關損耗低于FFP08S60S的參數205mJ。而采用ISL9R860P2Stealth二極管，這個值則達225mJ。故此舉也提高了逆變器在高開關頻率下的效率?！?a href="http://www.plannica.net/">太陽能路燈廠家】